1 石墨烯系統兼容、常壓、微正壓多種主流的生長(cháng)模式
2 石墨烯系統可以在1000Pa-0.1Pa之間任意氣壓下進(jìn)行石墨烯的生長(cháng)
3 使用計算機控制，可以設置多種生長(cháng)參數
4 可以制備高質(zhì)量，大面積石墨烯等碳材料，尺寸可達數厘米，研究動(dòng)力學(xué)過(guò)程
5 沉積效率高；薄膜的成分精確可控，配比范圍大；厚度范圍廣，由幾百埃至數毫米，可以實(shí)現厚膜沉積且能大量生產(chǎn)

產(chǎn)品性：

PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。
產(chǎn)品組成：
PECVD系統配置：
1.1200度開(kāi)啟式雙溫區真空管式爐

2.等離子射頻電源

3.多路質(zhì)量流量控制系統

4.真空系統（可選配中真空或高真空）  

產(chǎn)品特點(diǎn)：

生長(cháng)溫度低；沉積速率快；成膜質(zhì)量好，適用范圍廣，設備簡(jiǎn)單。